C200HX-CPU65-ZE信息概括：

回路數(shù)：2回路C200H-TV102。
溫度傳感器輸入：鉑電阻輸入（JPt100、Pt100）。
控制輸出：加熱 ：電壓輸出（脈沖） 冷卻 ：集電極開(kāi)路NPN輸出（脈沖）。
熱/冷溫度控制單元用一個(gè)單元實(shí)現(xiàn)二個(gè)回路的冷卻/加熱控制。
熱/冷溫度控制單元用所連接的溫度傳感器（熱電偶或熱電阻）測(cè)量物體的溫度，
并按預(yù)置的控制模式進(jìn)行加熱和冷卻。
采用先進(jìn)的PID和自適應(yīng)性能獲得穩(wěn)定的溫度控制。
可以選擇ON/OFF控制。
一個(gè)單元有二個(gè)熱/冷控制回路。
加熱器燒斷可可利用最小2.5A電流差快速檢測(cè)，
加速器燒斷檢測(cè)設(shè)定范圍0.1~49.9A，有助于故障快速排除。

C200HW-ME64K主要性能：

容量：64K字。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫(xiě)程序和I/O數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡不需要任何后備電源，
即使把它從CPU上取下，仍能保持其數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡有一個(gè)存儲(chǔ)保護(hù)開(kāi)關(guān)(SW1)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護(hù)，禁止寫(xiě)入。
OFF：數(shù)據(jù)可以寫(xiě)入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1置為OFF，可以寫(xiě)步。

C200HX-CPU65-ZE技術(shù)指標(biāo)：

只能用在SYS-MAC-CPT上。
程序容量：63.2K字。
RS-232端口：有。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：6K字。
擴(kuò)展數(shù)據(jù)內(nèi)存(EM)：6K字×3（48K字）。
處理時(shí)間(基本指令)：0.1μs。
I/O點(diǎn)數(shù)：1184點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展展單元的臺(tái)數(shù)：3臺(tái)歐姆龍C200H-TV102。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：16臺(tái)(1單元占用單元)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：8臺(tái)(2單元占用單元)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：16臺(tái)(1單元占用單元)。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)愈加復(fù)雜化、高速化，用戶的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等。
生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)要求產(chǎn)品上的高性能、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以最新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。